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Ultralowpowerconsumption,HighVoltageRegulLDO Features «1.5pACurrentatnoLoad «£2%OutputAccuracy «150mAOutputCurrent «Maximumworkinginputvoltage:28V »PackageAvailableSOT89-3,50T23-5,S0T23-3L | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
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PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=0.030ohm) Description NewtrenchHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi | IRF International Rectifier | IRF | ||
HEXFETPowerMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
UltraLowOn-Resistance | IRF International Rectifier | IRF | ||
TrenchTechnology | IRF International Rectifier | IRF | ||
TrenchTechnology | IRF International Rectifier | IRF | ||
TrenchTechnology | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
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