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HSBA060N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	HUASHUO 华朔半导体	HUASHUO
GT060N10T	文件：1.00158 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT060N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.00158 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT060N10TA	文件：1.24545 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT060N10TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24545 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HSCDANN015PAAA5	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-8	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
HSCDANN030PGAA5	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-8	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell

更多HSBA060N10供应商更新时间2025-11-2 15:01:00