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HRH8N65ANB中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

HRH8N65ANB
厂商型号

HRH8N65ANB

功能描述

650V N-Channel Planar MOSFET

丝印标识

H8N65ANB

封装外壳

TO-263

文件大小

3.14304 Mbytes

页面数量

12

生产厂商

SY

中文名称

顺烨电子

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:00:00

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HRH8N65ANB规格书详情

特性 Features

RDSON=0.97Ω @Vgs=10V, Id=4A

Low gate Charge(typical 30.1nC)

Low Crss (typical 4.0pF)

Fast switching capability

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Applications

Switch Mode Power Supply

Uninterruptible Power Supply (UPS)

TV Power

A dapter/Charger

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HRMICRO/华瑞微
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