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HVD147	文件：82.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.31pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.5Ωmax) •Lowoperationcurrent. •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL147	文件：82.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.31pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.5Ωmax) •Lowoperationcurrent. •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL147	文件：56.6 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL147M	文件：161.04 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.31pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.5Ωmax) •Lowoperationcurrent. •ThinExtremelysmallFlatLeadPackage(TEFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
HP147T
制造商：
HUASHAN
制造商全称：
HUASHAN
功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR

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