HN4B102J中文资料Power transistor for high-speed switching applications数据手册Toshiba规格书
HN4B102J规格书详情
描述 Description
Application Scope：MOS gate drivers
Polarity：NPN + PNP
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current (Q1) IC 2 A
Collector Current (Q2) IC -1.8 A
Collector Current (Q1) ICP 8 A
Collector Current (Q2) ICP -8 A
Collector power dissipation (Q1/Q2) (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 1.1 W
Collector-Base Voltage (Q1) VCBO 60 V
Collector-Base Voltage (Q2) VCBO -30 V
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO 30 V
Collector-emitter voltage (Q2) VCEO -30 V
技术参数
- 制造商编号
：HN4B102J
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：NPN + PNP
- Internal Connection
：Common emitter
- Features
：Low Satulation Voltage
- VCEO(Max)(V)
：30
- IC(Max)(A)
：2
- hFE(Min)
：200
- hFE(Max)
：500
- VCE(sat)(Max)(V)
：-0.2
- VCEO (Q2)(Max)(V)
：-30
- IC (Q2)(Max)(A)
：-1.8
- hFE (Q2)(Min)
：200
- hFE (Q2)(Max)
：500
- VCE(sat) (Q2)(Max)(V)
：0.14
- Number of pins
：5
- Surface mount package
：Y
- Package name
：SMV
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.8 x 1.1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
495 |
询价 | |||||
TOSHIBA |
24+/25+ |
1650 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
TOSHIBA |
25+ |
SOT23-5 |
1874 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT153 |
2690 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
22+ |
SMD |
612000 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
1500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
TOSHIBA |
1516+ |
SOT153 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
