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HN4B102J中文资料东芝数据手册PDF规格书

HN4B102J
厂商型号

HN4B102J

功能描述

Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

225.77 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 15:41:00

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HN4B102J规格书详情

MOS Gate Drive Applications

Switching Applications

• Small footprint due to a small and thin package

• High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =-0.2 A)

: NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)

• Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) =- 0.20 V (max)

: NPN VCE (sat) = 0.14 V (max)

• High-speed switching : PNP tf = 40 ns (typ.)

: NPN tf = 45 ns (typ.)

产品属性

  • 型号:

    HN4B102J

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Transistor Silicon PNP/NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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