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HN4A06J	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Feature：Low noise\nPolarity：PNP + PNP\nInternal Connection：Common emitter\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -120 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -120 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN4A06J	文件：284.75 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：284.75 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
ZXMN4A06G	文件：163.38 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applic 文件：163.38 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXMN4A06G	文件：174.42 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applic 文件：174.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN4A06GQ	文件：382.36 Kbytes Page：6 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：382.36 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Polarity：
PNP + PNP
Internal Connection：
Common emitter
Features：
Low Noise
VCEO(Max)(V)：
-120
IC(Max)(A)：
-0.1
hFE(Min)：
200
hFE(Max)：
700
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
fT(Typ.)(MHz)：
100
VCEO (Q2)(Max)(V)：
-120
IC (Q2)(Max)(A)：
-0.1
hFE (Q2)(Min)：
200
hFE (Q2)(Max)：
700
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
-0.3
fT (Q2)(Typ.)(MHz)：
100
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-25 (SMV)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HN4A06J供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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