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HN3C12	文件：90.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinSM6(SuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN3C12	文件：90.85 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinUS6(UltraSuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN3C12F	文件：90.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinSM6(SuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN3C12FU	文件：90.85 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinUS6(UltraSuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SMA3C12	文件：320.87 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMA3C12	文件：322.975 Kbytes Page：2 Pages	3W12VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ3C12	文件：101.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：100.67 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：50.08 Kbytes Page：1 Pages	SurfacemountdiodeZenersilicondiodes SurfacemountdiodeZenersilicondiodes MaximumPower Dissipation:3W NominalZ-voltage:1to200V	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
SZ3C12	文件：54.38 Kbytes Page：3 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron

详细参数

型号：
HN3C12
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HN3C12供应商更新时间2025-5-4 16:30:00

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