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HN1A01FE	文件：193.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO = −50V, IC = −150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC = −2mA) = 0.95 (typ.) 文件：193.28 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + PNP\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC -0.15 A \nCollector Current (Q2) IC -0.15 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN1A01FU	文件：238.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：238.14 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU	文件：155.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO =−50V, IC =−150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC =−0.1mA) / hFE (IC =−2mA) = 0.95 (typ.) 文件：155.87 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU-G	文件：849.22 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：849.22 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Polarity：
PNP + PNP
Internal Connection：
Independent
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
VCEO (Q2)(Max)(V)：
-50
IC (Q2)(Max)(A)：
-0.15
hFE (Q2)(Min)：
120
hFE (Q2)(Max)：
400
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
-0.3
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-563 (ES6)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
AEC-Q101：
Qualified(*)

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