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HN1A01F	文件：157.81 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications ● Small package (dual type) ● High voltage and high current : VCEO = −50 V, IC = −150 mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1 mA) / hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) 文件：157.81 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01F	文件：235.52 Kbytes Page：4 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO =−50V, IC =−150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC =−0.1mA) / hFE (IC =−2mA) = 0.95 (typ.) 文件：235.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01F	文件：224.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier 文件：224.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FE	文件：193.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO = −50V, IC = −150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC = −2mA) = 0.95 (typ.) 文件：193.28 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU	文件：155.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO =−50V, IC =−150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC =−0.1mA) / hFE (IC =−2mA) = 0.95 (typ.) 文件：155.87 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU-Y	文件：235.52 Kbytes Page：4 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ● Small package (Dual type) ● High voltage and high current : VCEO =−50V, IC =−150mA (max) ● High hFE: hFE = 120 to 400 ● Excellent hFE linearity : hFE (IC =−0.1mA) / hFE (IC =−2mA) = 0.95 (typ.) 文件：235.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01F_07	文件：224.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier 文件：224.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU	文件：238.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：238.14 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU_07	文件：238.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：238.14 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1A01FU_15	文件：849.22 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：849.22 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Polarity：
PNP + PNP
Internal Connection：
Independent
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
VCEO (Q2)(Max)(V)：
-50
IC (Q2)(Max)(A)：
-0.15
hFE (Q2)(Min)：
120
hFE (Q2)(Max)：
400
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
-0.3
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-26 (SM6)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HN1A01F供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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