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IRFS4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFS4310RPBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310TRLPBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310Z	文件：1.11549 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Features ●AdvancedProcessTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●Dynamicdv/dtRating ●175°COperatingTemperature ●FastSwitching ●RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax ●Lead-Free,RoHSCompliant ●AutomotiveQualified*	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS4310Z	文件：244.92 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF

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更多HMIGTO4310FC供应商更新时间2025-7-19 16:06:00

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