E-Band Low Noise Amplifier

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亚德诺

71 GHz至86 GHz，E频段低噪声放大器

HMC8325是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)芯片，工作频率范围为71 GHz至86 GHz。HMC8325提供22 dB增益、13 dBm输出P1dB、22 dBm OIP3和17 dBm PSAT，采用3 V电源供电时功耗仅为50 mA。HMC8325提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0.5 mil、长度为7 mil的焊线连接。\n\n • 增益：21 dB（典型值）\n• 噪声系数：3.6 dB（典型值）\n• 针对1 dB压缩的输出功率：13 dBm（典型值）\n• 最大增益时的输入三阶交调截点：1 dBm（典型值）\n• 最大增益时的输出三阶交调截点：22 dBm（典型值）\n• 饱和输出功率：17 dBm（典型值）\n• 输入回波损耗：15 dB（典型值）\n• 输出回波损耗：17 dB（典型值）\n• 裸片尺寸：2.844 mm × 0.999 mm × 0.05 mm;

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E-Band Low Noise Amplifier

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HEXFETPower MOSFET

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IRF

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

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IRF

HEXFETPower MOSFET

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IRF