E-Band Power Amplifier With Power Detector

GENERAL DESCRIPTION The HMC8142 is an integrated E-band gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), medium power amplifier with a temperature compensated on-chip power detector that operates from 81 GHz to 86 GH

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集成功率检波器的81 GHz至86 GHz E频段功率放大器

HMC8142是一款集成温度补偿片内功率检波器的E频段砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、中等功率放大器，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8142提供21 dB增益、25 dBm输出功率（1 dB压缩）、29 dBm输出三阶交调截点和26 dBm饱和输出功率（20%功率附加效率(PAE)，4 V电源）。 HMC8142提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。 放大器配置和高增益使其成为天线之前最后一级信号放大的绝佳选择。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0. • 增益： 21 dB（典型值） \n\n• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率： 25 dBm（典型值） \n\n• 饱和输出功率(PSAT)： 26 dBm（典型值） \n\n• 输出三阶交调截点(OIP3)： 29 dBm（典型值） \n\n• 输入回波损耗： 12 dB（典型值） \n\n• 输出回波损耗： 8 dB（典型值） \n\n• 直流电源： 4 V (450 mA) \n\n• 无需外部匹配 \n\n• 裸片尺寸： 3.039 mm × 1.999 mm × 0.05 mm;

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Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

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GENERAL DESCRIPTION The HMC8142 is an integrated E-band gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), medium power amplifier with a temperature compensated on-chip power detector that operates from 81 GHz to 86 GH

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Package：模具；包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMPLIFIER

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