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HMC659LC5

GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 15 GHz

文件:293.54 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC659-Die

功率放大器芯片,DC - 15 GHz

HMC659是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器裸片,工作频率范围为DC至15 GHz。 该放大器提供19.1 dB增益、+35 dBm输出IP3和+26.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为300 mA(采用+8V电源)。 HMC619在DC至10 GHz范围内提供±0.4 dB的出色增益平坦度,因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC619放大器I/O内部匹配50 Ω,方便集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。 • P1dB输出功率: +26.5 dBm \n\n• 增益: 19.1 dB \n\n• 输出IP3: +35 dBm \n\n• 电源电压: +8V (300 mA) \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 裸片尺寸: 3.115 x 1.630 x 0.1 mm;

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亚德诺

HMC659LC5

功率放大器,采用SMT封装,DC - 15 GHz

HMC659LC5是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器,采用符合RoHS标准的5x5 mm无引脚陶瓷表贴封装,在DC到15 GHz的频率范围内工作。该放大器提供19 dB增益、+35 dBm输出IP3和+27.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为300mA(采用+8V电源)。\n\n HMC659LC5在DC - 15 GHz范围内提供±0.7 dB的出色增益平坦度,因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC659LC5放大器I/O内部匹配50 Ω,无需外部元件。HMC659LC5与高容量表贴制造技术兼容。 • P1dB输出功率:+27.5 dBm\n\n• 增益:19 dB\n\n• 输出IP3:+35 dBm\n\n• 电源电压:+8V(300 mA时)\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 32引脚陶瓷5x5mm\nSMT封装:25mm²;

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亚德诺

HMC659LC5TR

Package:32-TFCQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 0HZ-15GHZ 32CSMT

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亚德诺

HMC659LC5TR-R5

Package:32-TFCQFN 裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-15GHZ 32CSMT

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    HMC659

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    0Hz ~ 15GHz

  • P1dB:

    26.5dBm

  • 增益:

    19.1dB

  • 噪声系数:

    2.5dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    8V

  • 电流 - 供电:

    300mA

  • 测试频率:

    0Hz ~ 6GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 0HZ-15GHZ DIE

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