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HMC446TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 894MHZ SOT26	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
446	文件：80.13 Kbytes Page：1 Pages	EBFFuseFast-ActingType446/447Series	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
446	文件：212.71 Kbytes Page：2 Pages	HighPerformanceThermal-MagneticCircuitBreakers446/447/449	ETAETA SOLUTIONS CO. LIMITED 钰泰半导体钰泰半导体股份有限公司	ETA
446E	文件：177.11 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC10WT/RSWITCH,824-894MHz*	Hittite HITTITE	Hittite
446E	文件：236.5 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC10WT/RSWITCH,824-894MHz*	Hittite HITTITE	Hittite
446-K	文件：174.84 Kbytes Page：2 Pages	Heavydutyvehicles,batterysystems,processcontrol	ETAL ETAL Group	ETAL
446P	文件：330.3 Kbytes Page：1 Pages	350VoltSurfaceMountFuse	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
ACTF446A	文件：94.98 Kbytes Page：3 Pages	FRS&PMRmobileradioapplications	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTF446A	文件：164.74 Kbytes Page：3 Pages	SAWFilter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTF446B	文件：132.6 Kbytes Page：3 Pages	MobileRadioApplications	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
AOD446	文件：146.55 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD446usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD446	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD446	文件：1.008 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD446	文件：198.98 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD446L	文件：146.55 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD446usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI446	文件：1.02295 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI446	文件：298.53 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARF446	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. •Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF446	文件：405.79 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. •Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF446G	文件：87.31 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. •Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
HMC446TR
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
卷带（TR）
射频类型：
ISM
拓扑：
反射
电路：
SPDT
频率范围：
824MHz ~ 894MHz
隔离：
35dB
插损：
0.6dB
测试频率：
894MHz
IIP3：
65dBm
阻抗：
50 欧姆
电压 - 供电：
5V ~ 8V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-23-6
描述：
IC RF SWITCH SPDT 894MHZ SOT26

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