InGaP HBT功率放大器SMT，4.9 - 5.9 GHz

HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+26 dBm（34% PAE时），电源电压为+3V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+15 dBm OFDM输出功率（64 QAM，54 Mbps），HMC415LP3(E)可实现3.7%的误差矢量幅度(EVM)，从而满足802.11a线性度要求。 • 增益： 20 dB \n• 34% PAE (Psat = +26 dBm) \n• 3.7% EVM (Pout = +15 dBm) \n• 具有54 Mbps OFDM信号 \n• 电源电压： +3 V \n• 省电功能\n• 外部器件数量少;

ADI

亚德诺

Power Down Capability

文件：416.2 Kbytes 页数：8 Pages

AD

亚德诺

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz

文件：309.55 Kbytes 页数：8 Pages

Hittite

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz

文件：278.37 Kbytes 页数：8 Pages

Hittite

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz

文件：278.37 Kbytes 页数：8 Pages

Hittite

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz

文件：278.37 Kbytes 页数：8 Pages

Hittite

Power Down Capability

文件：416.2 Kbytes 页数：8 Pages

AD

亚德诺

Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16SMT

AD

亚德诺

Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16SMT

AD

亚德诺