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HMC311LP3ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC311LP3E
厂商型号

HMC311LP3E

参数属性

HMC311LP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ 16SMT

功能描述

InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz

封装外壳

16-VFQFN 裸露焊盘

文件大小

233.67 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 11:16:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC311LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    0Hz ~ 6GHz

  • P1dB:

    13dBm

  • 增益:

    14dB

  • 噪声系数:

    4.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    74mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ 16SMT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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