High output IP3: 44 dBm typical

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10 W GaN功率放大器，2.7 GHz至3.8 GHz

HMC1114是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在带宽范围为2.7 GHz至3.8 GHz时提供10 W功率，PAE超过50 %。 HMC1114提供±0.5 dB的增益平坦度。 \n\n HMC1114非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如无线基础设施、雷达、公共移动无线电和通用放大。 \n\n HMC1114采用紧凑型LFCSP封装。 • 高饱和输出功率(PSAT)： 41.5 dBm \n\n• 高小信号增益： 35 dB \n\n• 高大信号增益： 25.5 dB \n\n• 带宽： 2.7 GHz至3.8 GHz \n\n• 高功率附加效率（PAE）： 54%\n\n• 高输出IP3： 44 dBm \n\n• 电源电压： VDD = 28 V (150 mA) \n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装;

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High output IP3: 44 dBm typical

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High output IP3: 44 dBm typical

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GaN Power Amplifier

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GaN Power Amplifier

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> 10 W (42 dBm)， 2.7 GHz 至 3.8 GHz， GaN 功率放大器

HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达 42 dBm) 的输出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高达 55%。在小信号电平下，增益平坦度典型值小于 1 dB。\n\n HMC1114PM5E 适合脉冲波或连续波 (CW) 应用，例如无线基础设施、雷达、公共移动射频和通用放大技术。 • 高小信号增益：34.5 dB（典型值）\n\n• 高输出功率：PIN = 18 dBm 时为 42 dBm（典型值）\n\n• 高 PAE：PIN = 18 dBm 时为 55%（典型值）\n\n• 频率范围：2.7 GHz 至 3.8 GHz\n\n• 电源电压：静态电流为 150 mA 时 VDD = 28 V\n\n• 5 mm × 5 mm、 32 引脚 LFCSP_CAV 封装;

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Package：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：散装 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP 2.7GHZ-3.8GHZ 32LFCSP-CAV

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Package：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF POWER AMP 32LFCSP

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