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IRFP054N	文件：335.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤12mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP054N	文件：729.95 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmountinghole. ●AdvancedProcessTechnology ●Dynamicdv/dt	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP054NPBF	文件：1.49884 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054NPBF	文件：1.49981 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054PBF	文件：3.3841 Mbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054PBF	文件：1.53169 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054PBF	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054PBF	文件：325.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-247packaging •Uninterruptiblepowersupply •Highspeedswitching •Simpledriverequirements •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP054PBF	文件：1.59347 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054V	文件：216.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=9.0mohm,Id=93A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
HMC-C054
制造商：
HITTITE
制造商全称：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
RMS POWER DETECTOR 70 dB, 0.01 - 2 GHz

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