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IRF2907Z	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907Z	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907Z	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2907ZL	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZL	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZLPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2907ZPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
HM2907
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	HM2907	HSMC		SOT-89	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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