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HM2309DR	文件：1.47975 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel 60V(D-S) 文件：1.47975 Mbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2309DR	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM2309PR	文件：912.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：912.27 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
ICS2309	文件：195.02 Kbytes Page：9 Pages	3.3 VOLT ZERO DELAY, LOW SKEW BUFFER 文件：195.02 Kbytes 页数：9 Pages	ICST	ICST
IDT2309	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	3.3V ZERO DELAY CLOCK BUFFER DESCRIPTION: The IDT2309 is a high-speed phase-lock loop (PLL) clock buffer, designed to address high-speed clock distribution applications. The zero delay is achieved by aligning the phase between the incoming clock and the output clock, operable within the range of 10 to 133MHz. The IDT2309 is 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	IDT	IDT

技术参数

封装（Package）：
DFN2X2-6L
沟道（Polarity）：
P沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
-60.00V
ID(Max)ID(A)：
-4.00A
IDM：
-16.00A
VTH(Typ)：
-1.80V
VGS：
-20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
188.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
266.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM2309DR	NK/南科功率	2025+	DFN2X2-6L	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	HM2309DR	NK/南科功率	2511	DFN2X2-6L	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多HM2309DR供应商更新时间2025-10-5 14:01:00

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