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HM2309C	文件：546.86 Kbytes Page：6 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：546.86 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2309C	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM2309D	文件：418.91 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：418.91 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2309DR	文件：1.47975 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel 60V(D-S) 文件：1.47975 Mbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2309PR	文件：912.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：912.27 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

封装（Package）：
SOT23-3L
沟道（Polarity）：
P沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
-60.00V
ID(Max)ID(A)：
-3.00A
IDM：
-12.00A
VTH(Typ)：
-2.00V
VGS：
-20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
150.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
185.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
Si2309

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM2309C	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价
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更多HM2309C供应商更新时间2025-11-20 14:01:00

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