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HM1497	文件：1.4183 Mbytes Page：7 Pages	Package：ESOP8；36V standoff, 2.5A Step-Down DCDC Converter with Quick Charge Protocol DESCRIPTION TheHM1497isa36Vstandoff,4.5-28Vwideinputrangestep-downDCDCconverter,with2.5Aoutputcurrentcapability.Italsointegratethemostpopularquickchargeprotocol,QC2.0andMTKPE+,makingitselfaperfectandcompactsolutionforCarCharger. HM1497isalsoveryflexib	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM1498	文件：1.68996 Mbytes Page：14 Pages	Package：ESOP-8；30V, 3.1A Monolithic Buck Converter with Port Controller Description HM1498isamonolithicUSBchargerintegratedwithbotha30V,3.1ADC-DCconverterandUSBchargingportcontroller,whichcanautomaticallydetectApple®Devices,SamsungDevicesandgeneralBC1.2&YD/T1591-2009devices. HM1498includesa36V,76mΩhighsideanda36V,52mΩl	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM14H1	文件：494.28 Kbytes Page：4 Pages	Type HM14H1 Load Cell Mounting Kit ShortDescription •NickelplatedalloysteelIP68columnloadcell •Hermeticallysealed •Robustandsmartdesignwithoutsemi-conductors •Highaccuracy •SetcontainsHM14H1LoadcellwithHY-14-146-W1 mountingassembly	ZEMICZemic Europe B.V. 泽米克泽米克欧洲有限公司	ZEMIC
HM14R	文件：267.61 Kbytes Page：2 Pages	Low EMI Oscillator 14 pin Dual-in-Line DESCRIPTION EQHM14serieslowEMIoscillatorscanreducesystemEMIby15dB.Theoscillatorsarea‘drop-in’replacementforstandardoscillators.EMIreductionisachievedbytheuseofSpreadSpectrumTechnologywherebythemodeenergyisspreadoverawiderbandwidth.Themodulationcarrierfr	EUROQUARTZEUROQUARTZ limited 石英公司欧洲石英公司	EUROQUARTZ
HM1-6504/883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM1-6504883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM1-6504B/883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM1-6504B883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM1-6504BSLASH883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM1-6504SLASH883	文件：167.86 Kbytes Page：10 Pages	4096 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6504isa4096x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby...................125µWMax •LowPowerO	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
20.00V
ID(Max)ID(A)：
100.00A
IDM：
350.00A
VTH(Typ)：
0.65V
VGS：
12.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
4.50mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
6.50mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AOD424/NTD100N02/MTD100N02/FU100N02/SUD100N02/IRFR3704Z/IRFR3711Z/IRLR6225

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	HM100	BITECH	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市力拓辉电子有限公司	HM100422	HIT	22+		5000		询价

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