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2655	文件：89.88 Kbytes Page：1 Pages	StockandCustom*ColorsforDomePlugsandShortyPlugs	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
C2655	文件：427.04 Kbytes Page：1 Pages	700/800WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C2655	文件：1.43171 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highspeedswitchingtime,complementaryto2SA1020. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
C2655	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(Typ.)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
C2655	文件：210.83 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
C2655	文件：217.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
C2655	文件：217.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES -Lowsaturationvoltage：VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) -Highspeedswitchingtime：tstg=1μs(Typ.) -Complementaryto2SA1020	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
C2655	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
C2655	文件：513.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor Features •Collectorof0.9WattsofPowerDissipation. •Collector-current2.0A •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55to+150 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
C2655	文件：498.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
C2655	文件：146.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintotwogroupsOandY, accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
C2655	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:900mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
C2655	文件：255.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowTransistor DESCRIPTION •SiliconNPNepitaxialtype •Lowsaturationvoltage •Complementaryto2SA1020 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Powerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C2655	文件：3.69215 Mbytes Page：5 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
C2655	文件：259.7 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
C2655	文件：139.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
C2655	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CIL2655	文件：229.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPNCOMPLEMENTARYPLANARSILICONTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CIL2655NPN	文件：229.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPNCOMPLEMENTARYPLANARSILICONTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CSC2655	文件：206.09 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL

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更多HLMP2655F供应商更新时间2024-6-21 17:58:00

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