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M01N60	文件：174.41 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET [STANSONTECHNOLOGY] RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
M01N60	文件：190.91 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MSL01N60	文件：593.74 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFETs	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NDDL01N60Z	文件：299.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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