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HIP6603BECBZ集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

HIP6603BECBZ
厂商型号

HIP6603BECBZ

参数属性

HIP6603BECBZ 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

文件大小

682.09 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 8:35:00

HIP6603BECBZ规格书详情

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

The HIP6601B, HIP6603B and HIP6604B are highfrequency, dual MOSFET drivers specifically designed to

drive two power N-Channel MOSFETs in a synchronous

rectified buck converter topology. These drivers combined

with a HIP63xx or the ISL65xx series of Multi-Phase Buck

PWM controllers and MOSFETs form a complete core-voltage regulator solution for advanced microprocessors.

Features

• Drives Two N-Channel MOSFETs

• Adaptive Shoot-Through Protection

• Internal Bootstrap Device

• Supports High Switching Frequency

- Fast Output Rise Time

- Propagation Delay 30ns

• Small 8 Ld SOIC and EPSOIC and 16 Ld QFN Packages

• Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency

• Three-State Input for Output Stage Shutdown

• Supply Undervoltage Protection

• QFN Package

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN—Quad Flat No Leads—Product Outline.

- Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB Efficiency and Thinner in Profile.

• Pb-Free (RoHS Compliant)

Applications

• Core Voltage Supplies for Intel Pentium® III, AMD® Athlon™ Microprocessors

• High Frequency Low Profile DC/DC Converters

• High Current Low Voltage DC/DC Converters

HIP6603BECBZ属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。瑞萨科技有限公司制造生产的HIP6603BECBZ栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

  • 产品编号:

    HIP6603BECBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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