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HIP6603BECBZ中文资料Intersil数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
HIP6603BECBZ |
| 参数属性 | HIP6603BECBZ 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装为管件；类别为集成电路（IC） > 栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | Drives Two N-Channel MOSFETs |
| 文件大小 |
256.459 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Intersil Corporation |
| 企业简称 |
Intersil |
| 中文名称 | Intersil Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-21 11:53:00 |
产品属性
- 产品编号：
HIP6603BECBZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-SOIC-EP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Intersil |
21+ |
8SOICEP |
13880 |
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