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HSDL2100	文件：119.35 Kbytes Page：16 Pages	InfraredIrDACompliantTransceiver	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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HSR2100	文件：112.59 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers(ReverseVoltage20to100V,ForwardCurrent2A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IF2100	文件：1.21217 Mbytes Page：1 Pages	UMTSMicroSphereAntenna	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
INDY2100	文件：1.14648 Mbytes Page：1 Pages	DyeSensitisedIndoorPhotovoltaicModule	G24I G24 Innovations	G24I
IS-2100AEH	文件：114.37 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IS-2100AEH	文件：258.85 Kbytes Page：7 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDrivers Features ▪ElectricallyscreenedtoDLASMD#5962-99536 ▪QMLqualifiedperMIL-PRF-38535requirements ▪Radiationenvironment •TIDRadHardAssurance(RHA)testing ◦HDR(50-300rad(Si)/s):300krad(Si) ◦LDR(≤10mrad(Si)/s):50krad(Si)(AEHOnly) •DIRSGprocessprovideslatch-upimmuni	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IS-2100ARH	文件：61.22 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDriver	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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产品属性

产品编号：
HIP2100IRZT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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