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HGTG20N60A4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

HGTG20N60A4
厂商型号

HGTG20N60A4

参数属性

HGTG20N60A4 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 70A TO247-3

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

封装外壳

TO-247-3

文件大小

354.42 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Intersil Corporation
企业简称

INTERSIL

中文名称

Intersil Corporation官网

原厂标识
INTERSIL
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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HGTG20N60A4规格书详情

The HGTG20N60A4 and HGTP20N60A4 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

• >100kHz Operation at 390V, 20A

• 200kHz Operation at 390V, 12A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at TJ = 125°C

• Low Conduction Loss

• Temperature Compensating SABER™ Model www.intersil.com

• Related Literature

    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards

产品属性

  • 产品编号:

    HGTG20N60A4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    105µJ(开),150µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/73ns

  • 测试条件:

    390V,20A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 70A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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