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HEB1188	文件：326.67 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
1188H	文件：188.02 Kbytes Page：3 Pages	20WAUDIOPOWERAMPLIFIER description TheμPC1188HismonolithicintegratedcircuitandapoweramplifierdesignedforHi-Fiaudiosetsandina10pinSingleIn-Lineplasticpackage.μPC1188Hcanprovide20W(TYP.)to8ohmsat1T.H.D.and±22VSupplyvoltage. FEATURES ●Highoutputpower. 20WTYP.(VCC=±22	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
1188QA	文件：70.36 Kbytes Page：2 Pages	OpticalSplitter	EMCORE Emcore Corporation
CAP1188	文件：1.24811 Mbytes Page：79 Pages	8ChannelCapacitiveTouchSensorwith8LEDDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
CEB1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
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CEU1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CXG1188UR	文件：75.43 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerDPDTSwitchwithLogicControl	SonySONY 索尼
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DEI1188-SMS	文件：805.42 Kbytes Page：13 Pages	8CHGND/OPENDISCRETEINTERFACEICW/EXTHVPROTECTION	DEIAZ Device Engineering Incorporated
EMC1188	文件：541.01 Kbytes Page：48 Pages	NotebookComputers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
EMC1188	文件：541.01 Kbytes Page：48 Pages	NotebookComputers	SMSC SMSC
ENA1188	文件：231.03 Kbytes Page：27 Pages	CMOSIC128K/96K-byteROMand12288-byteRAMintegrated8-bit1-chipMicrocontrollerwithUSB-hostcontroller	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
FTB1188	文件：379.35 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ComplementstheFTD1766	FS First Silicon Co., Ltd

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市易讯博科技有限公司	HEB-1K0200	Eaton	22+	NA	168	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	HEB-1K0201	EATON(伊顿)	23+		6000		询价
上海金庆电子技术有限公司	HEB-AA	BUSSMAN	新		9	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	HEB-AA	Cooper Bussmann	2022+		54	全新原装货期两周	询价
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更多HEB1188供应商更新时间2024-4-27 10:08:00

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