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HDM9160	文件：156.86 Kbytes Page：5 Pages	Frequency Synthesizer	SHOULDERShoulder 无锡市好达电子有限公司
9160	文件：55.73 Kbytes Page：2 Pages	SimplePCIBridging	OXFORD OXFORD electrical power
9160	文件：154.61 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,8Pr#22SolTC,PVCIns,PVCJkt,CMG ProductDescription Electronic,8Pair22AWG(Solid)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,CMG	BELDEN Belden Inc.
9160	文件：105.68 Kbytes Page：1 Pages	CountersunkTypeHRivets	Heyco Heyco
9160F	文件：105.68 Kbytes Page：1 Pages	CountersunkTypeHRivets	Heyco Heyco
ACTF9160	文件：515.87 Kbytes Page：6 Pages	RFFilter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术
BD9160FVM	文件：102.57 Kbytes Page：5 Pages	1chDC竊뢈CConverterControllerICwithBuilt-inSynchronousRectifier	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
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ECS-9160P	文件：390.96 Kbytes Page：2 Pages	ECS-9100,2GigELAN,4GigELANSwitchw/LANBypass,2SSDTray,8USB3.0,4COM,3SIM,16GPIO	VECOWVecow Co., Ltd. 超恩
EP9160	文件：30.36 Kbytes Page：1 Pages	SMD28PinPassiveDelayLines SMD28PinPassiveDelayLines	PCA PCA Electronics, Inc.
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FRE9160H	文件：49.2 Kbytes Page：6 Pages	30A,-100V,0.095Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRE9160R	文件：49.2 Kbytes Page：6 Pages	30A,-100V,0.095Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRK9160D	文件：48.07 Kbytes Page：6 Pages	40A,-100V,0.085Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRK9160H	文件：48.07 Kbytes Page：6 Pages	40A,-100V,0.085Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRK9160R	文件：48.07 Kbytes Page：6 Pages	40A,-100V,0.085Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSJ9160	文件：46.65 Kbytes Page：8 Pages	44A,-100V,0.055Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inpartic	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
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FSYC9160D	文件：61.44 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantP-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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详细参数

型号：
HDM9160
制造商：
SHOULDER
制造商全称：
SHOULDER
功能描述：
Frequency Synthesizer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	HDMB200-5	ASTEC	23+	模块	130	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	HDMB200-5	ASTEC	23+	模块	3562		询价
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更多HDM9160供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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