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HD1L3N	文件：112.15 Kbytes Page：6 Pages	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICoutputsandactuatorsavailable •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L3M	文件：83.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L3M	文件：238.36 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L3M	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L3N	文件：245.81 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L3N	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L3N	文件：91.21 Kbytes Page：4 Pages	On-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L3Z	文件：119.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AB1L3N	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ADSP-H1L3	文件：181.74 Kbytes Page：10 Pages	1.0??SingleDigitPCBBasedLEDDisplay	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AN1L3M	文件：83.87 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L3M	文件：238.61 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L3M	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L3N	文件：237.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L3N	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L3N	文件：82.9 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L3Z	文件：120.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AP1L3N	文件：84.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AR1L3N	文件：96.56 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICoutputandactuatoravailable •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L3M	文件：90.21 Kbytes Page：4 Pages	On-chipresistorNPNSiliconEpitaxialTransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L3M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L3M	文件：244.85 Kbytes Page：6 Pages	CMPOUNDTRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L3N	文件：238.88 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L3N	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L3N	文件：84.24 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=4.7kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L3N	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L3Z	文件：124.65 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1L3Zisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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晶体管资料

型号：
HD1L3N
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
中速（MS）_开关管（SW）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
2W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
2

详细参数

型号：
HD1L3N
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HD1L3N供应商更新时间2024-4-28 14:22:00

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