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HCS10MS	文件：181.78 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate Description TheIntersilHCS10MSisaRadiationHardenedTriple3-InputNANDGate.AhighonallinputsforcestheoutputtoaLowstate. TheHCS10MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS10MS	文件：389.34 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(SI)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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HCS10MS

文件：181.78 Kbytes

Page：8 Pages

Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

Description TheIntersilHCS10MSisaRadiationHardenedTriple3-InputNANDGate.AhighonallinputsforcestheoutputtoaLowstate. TheHCS10MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

HCS10MS

文件：389.34 Kbytes

Page：8 Pages

Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(SI)/s20nsPulse •Cos

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
HCS10MS
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	HCS1-12D05	WIER(海威尔)	2112+	SIP	105000	26个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	HCS1-12D05	WIER(海威尔)	2021+	SIP	507		询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	HCS1-12D05	WIER(微尔)	23+	插件	6000		询价
深圳市星佑电子有限公司	HCS112DMSR	HAR	05+	原厂原装	4299	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	HCS112DMSR	HAR	23+		65480		询价
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更多HCS10MS供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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