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HCS05H	文件：837.04 Kbytes Page：1 Pages	Value applying Rated Voltage	JLWORLDJL World Company Limited. JL World Company Limited.
HCS05HMSR	文件：107.1 Kbytes Page：7 Pages	Radiation Hardened Hex Inverter with Open Drain Description TheIntersilHCS05MSisaRadiationHardenedHexinverterfunctionwithopendrainoutputs.Theseopendrainoutputscandriveintoresistiveloadswithaseparatevoltagesupply. TheHCS05MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemb	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
HCS05HMSR	文件：181.78 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate Description TheIntersilHCS10MSisaRadiationHardenedTriple3-InputNANDGate.AhighonallinputsforcestheoutputtoaLowstate. TheHCS10MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
HCS05HMSR	文件：389.34 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(SI)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HCS05HMSR	文件：316.81 Kbytes Page：7 Pages	Radiation Hardened Hex Inverter with Open Drain Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
HCS05H
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HCS05H供应商更新时间2024-4-27 15:08:00

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