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PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistorRev.01??18December2009	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PT	文件：294.56 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT-Q	文件：280.35 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PX	文件：741 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *Smallerrequired	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PZ	文件：733.02 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ-Q	文件：303.85 Kbytes Page：14 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SN	文件：1.03696 Mbytes Page：15 Pages	30V,5.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
HCF4032B
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
TRIPLE SERIAL ADDERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	HCF4032BE	SGS	21+	DIP	6000	全新原装现货价优	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HCF4032BE	SGS	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市腾亿芯科技有限公司	HCF4033	ST	25+	DIP	16900	原装，请咨询	询价
深圳市一线半导体有限公司	HCF4033BE	STM	24+	DIP	200		询价
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