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HC280N10LS

中低压MOS(20-150V)

HXC-Power

惠海半导体

IXUN280N10

Trench Power MOSFET Very low RDS(on)

文件:117.65 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

CEW280N10S

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V 278A, RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-247 package. RoHS compliant.

文件:455.88 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

HC322A

SOT23

WACANM

HC32F005C6PA

TSSOP20TR

HDSC/华大半导体

上传:深圳市振宏微科技有限公司

HDSC/华大半导体

技术参数

  • 耐压:

    100V

  • 电流:

    2A

  • type Vth(V):

    1.8V

  • 结电容:

    --

  • 封装:

    SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HC280N10LS供应商 更新时间2025-11-5 11:01:00