| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
RENESAS/瑞萨5-LFPAK |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司7年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
|
深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
|
 |
RENESASLFPAK4 |
33000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
||
|
深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-669 |
5820 |
21+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
MICROCHIP(美国微芯)SOT-669 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-669 |
40000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-669 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-669 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司7年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
RENESSOT-669 |
500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
|
N/AN/A |
2500 |
23+ |
全新、原装 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
RENESAS/瑞萨LFPAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市大联智电子有限公司3年
留言
|
RENESAS/瑞萨5-LFPAK |
354000 |
22+ |
||||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
瑞萨电子|RenesasSOT-669 |
3034 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
RENESASSOT-4708&NBS |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
RENESAS/瑞萨NA/ |
3545 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
|
RENESAS5-LFPAK |
5000 |
22+ |
|
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
RENESASSOT |
24589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
HAT2168H-EL采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HAT2168H-EL图片
HAT2168H-EL-E价格
HAT2168H-EL-E价格：￥5.4214品牌：Renesas
生产厂家品牌为Renesas的HAT2168H-EL-E多少钱，想知道HAT2168H-EL-E价格是多少？参考价：￥5.4214。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HAT2168H-EL-E批发价格及采购报价，HAT2168H-EL-E销售排行榜及行情走势，HAT2168H-EL-E报价。
HAT2168H-EL中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT2168H-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
