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ILD1151	文件：1.70936 Mbytes Page：42 Pages	MultitopologyHighPowerLEDDC/DCControllerforIndustrialApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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ISF1151	文件：243.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Highspeedpowerswitching ·Powerfactorcorrection,motordriveandweldingmachine	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KB1151	文件：383.05 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT) LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES •HighPowerDissipation:Pc=1.5W(Ta=25°C) •ComplementarytoKTD1691	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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