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H7N1002LSTL-E中文资料PDF规格书

H7N1002LSTL-E
厂商型号

H7N1002LSTL-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

110.66 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 11:36:00

H7N1002LSTL-E规格书详情

Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 8 mΩ typ.

• Low drive current

• Available for 4.5 V gate drive

产品属性

  • 型号:

    H7N1002LSTL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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