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H7N1002LSTL-E规格书详情
Features
• Low on-resistance
RDS (on) = 8 mΩ typ.
• Low drive current
• Available for 4.5 V gate drive
产品属性
- 型号：
H7N1002LSTL-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
3655 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
日立 |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENS |
15+ |
TO-263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO263 |
7000 |
询价 | |||
RENEAS |
99+ |
TO220/3 |
3400 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO263 |
47479 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESA |
2048+ |
TO-220F |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENS |
21+ |
TO-263 |
2000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESA |
23+ |
TO-220F |
28000 |
原装正品 |
询价 |
