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75N06	文件：1.27408 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
75N06	文件：65.68 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
75N06G	文件：1.2731 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB75N06	文件：330.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP75N06	文件：695.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP75N06G	文件：1.71031 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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CJU75N06	文件：1.13418 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJU75N06	文件：1.56294 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
FIR75N06PG	文件：4.05956 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTK75N06D	文件：459.79 Kbytes Page：4 Pages	60V/75AN-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM75N06	文件：575.95 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM75N06K	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
M75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB75N06	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES60VOLTS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.Thisadvance	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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