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H5N5004PL-E	文件：55.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：55.32 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N5004PL-E0-E	文件：250.85 Kbytes Page：8 Pages	500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.09 Ω typ. (at ID = 25 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching • Low gate charge • Avalanche ratings • Built-in fast recovery diode: trr = 190 ns typ • Quality grade: Standard 文件：250.85 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N5004PL-E0-E_15	文件：138.26 Kbytes Page：7 Pages	500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.26 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N5004PL-E0-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-264S
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.11
Ciss (pF) 典型值：
7630
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
3
Pch (W)：
250
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多H5N5004PL-E供应商更新时间2025-10-7 13:00:00

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