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H25R1202	文件：407.7 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyofferse	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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H25R1202

文件：407.7 Kbytes

Page：12 Pages

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyofferse

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