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H24B2	文件：68.82 Kbytes Page：1 Pages	THE H24B SERIES CONSISTS OF A GALLIUM ARSENIDE INFRARED EMITTING DIODE COUPLED WITH A SILICON PHOTOTRANSISTOR	QT QT Brightek (QTB)
HZ24B2	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HZU24B2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
J24B2B	文件：1.3878 Mbytes Page：8 Pages	Plug-InOutletCenterUnits	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
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PZU24B2	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PZU24B2A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PZU24B2L	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PZU24B2L	文件：133.1 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RKZ24B2KJ	文件：66.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorptionandStabilizer Features •EmbossTapingReelPack. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
H24B2
功能描述：
晶体管输出光电耦合器
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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