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H01N60I	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕
AP01N60H	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP01N60H	文件：1.08589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AP01N60H,J-HF	文件：103.96 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP01N60H-HF	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AP01N60J	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP01N60J-HF	文件：100.39 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP01N60P	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSwitching SimpleDriveRequir	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
CJD01N60	文件：676.61 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor
CJU01N60	文件：1.52187 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CJU01N60	文件：451.23 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor
CJV01N60	文件：623.75 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor
CMT01N60	文件：259.17 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CMT01N60	文件：189.23 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子
CMT01N60	文件：288.4 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子
FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
GE01N60	文件：294.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Features *Dynami	GTM 勤益投資控股股份有限公司
GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETL E-Tech Electronics LTD
GI01N60	文件：288.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
GI01N60	文件：237.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司

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详细参数

型号：
H01N60I
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

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