| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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INTERSILQFN-16 |
12000 |
23+ |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INTERSILQFN |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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INTERSIL16-QFN |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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INTERSILQFN |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INTERSILQFN |
57550 |
2022+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INTERSILBGA |
6528 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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INTERSILQFN |
50000 |
2023+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INTERSILNA/ |
58 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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INTERSILQFN |
6895 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INTERSIBGA |
99 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INTERSILQFN |
5500 |
09+ |
原装无铅,优势热卖 |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
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INTERSILQFN16 |
2435 |
22+ |
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INTERSILBGA |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Intersil16-QFN-EP5x5 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INTERSILQFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INTERSILQFN |
58 |
23+ |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
留言
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IntersilVQFN-16 |
6890 |
长期供货进口原装假一赔万热卖现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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INTERSILQFN |
7869 |
1922+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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INTERSILQFN-16 |
98000 |
23+ |
HIP6602BCR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HIP6602BCR图片
HIP6602BCR中文资料Alldatasheet PDF
更多HIP6602BCR功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6602BCR-T功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6602BCRZ功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA-T功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZ-T功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
HIP6602BCR
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
