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GTRA374902FC	文件：459.78 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W, 48 V, 3600 – 3700 MHz Description TheGTRA374902FCisa450-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEM	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTRA374902FC	文件：2.34833 Mbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W, 48 V, 3600 ??3700 MHz	CreeCree, Inc 科锐	Cree
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GTRA374902FC-V1-R2	文件：459.78 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W, 48 V, 3600 – 3700 MHz Description TheGTRA374902FCisa450-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEM	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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