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GTRA263902FC	文件：531.41 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 – 2690 MHz Description The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multistandard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：531.41 Kbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTRA263902FC	文件：486.69 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 ??2690 MHz 文件：486.69 Kbytes 页数：8 Pages	Cree 科锐	Cree
GTRA263902FC-V2-R0	文件：531.41 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 – 2690 MHz Description The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multistandard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：531.41 Kbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTRA263902FC-V2-R2	文件：531.41 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 – 2690 MHz Description The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multistandard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：531.41 Kbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTRA263902FC-V2	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power RF GaN-on-SiC HEMT 370 W; 48 V; 2495 - 2690 MHz The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching; high efficiency; and a thermally-enhanced package with earless flange. ·Typical pulsed CW performance: 2690 MHz; 48 V; combined outputs\n·Output power at P3dB 370 W\n·Efficiency 70%\n·Gain 15 dB\n·Capable of handling 10:1 VSWR @48 V; 56 W (CW) output power\n·Low thermal resistance\n·Pb-free and RoHS compliant\n·Input matched;	MACOM	MACOM
GTRA263902FC-V2-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：H-37248C-4；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTRA263902FC-V2-R2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：H-37248C-4；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技术参数

Min Frequency (MHz)：
2495
Max Frequency(MHz)：
2690
P3dB Output Power(W)：
370
Gain(dB)：
13.8
Efficiency(%)：
54
Operating Voltage(V)：
48
Package Category：
Earless
Form：
Packaged Discrete Transistor
Technology：
GaN-on-SiC

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