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GTRA263902FC分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
GTRA263902FC |
参数属性 | GTRA263902FC 封装/外壳为H-37248C-4;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 – 2690 MHz |
文件大小 |
531.41 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | WOLFSPEED, INC. |
企业简称 |
WOLFSPEED |
中文名称 | WOLFSPEED, INC.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-27 16:49:00 |
GTRA263902FC规格书详情
Description
The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN on SiC high
electron mobility transistor (HEMT) for use in multistandard cellular power amplifier applications. It features
input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced
package with earless flange.
Features
• GaN on SiC HEMT technology
• Input matched
• Typical Pulsed CW performance, 2690 MHz, 48 V,
combined outputs
- Output power at P3dB = 370 W
- Efficiency = 70
- Gain = 15 dB
• Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 56 W (CW)
output power
• Human Body Model class 1A (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
• Low thermal resistance
• Pb-free and RoHS compliant
GTRA263902FC属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的GTRA263902FC晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
GTRA263902FC-V2-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GaN
- 包装:
带
- 晶体管类型:
HEMT
- 频率:
2.495GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
13.8dB
- 功率 - 输出:
370W
- 封装/外壳:
H-37248C-4
- 供应商器件封装:
H-37248C-4
- 描述:
390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
SMD |
8635 |
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INFINEON/英飞凌 |
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