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GWX-2012	文件：566.53 Kbytes Page：4 Pages	Competitivepricingforvolumeapplications	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HAF2012	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowerconsumpt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2012L	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowerconsumpt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2012S	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowerconsumpt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCB2012	文件：98.37 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentFerriteChipBead(LeadFree)	TAI-TECHTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd. 西北台庆科技西北台庆科技股份有限公司	TAI-TECH
HCM2012G	文件：1.2798 Mbytes Page：7 Pages	(ChipCommonModeFilter)EngineeringSpecification	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
HER2012CA	文件：260.22 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkDualCommonAnodeHighEfficiencyRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HER2012CL	文件：261.35 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkDualSeriesConnectionHighEfficiencyRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HER2012CR	文件：260.769 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkDualDoublerPolarityHighEfficiencyRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HER2012CT	文件：262.84 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkDualCommonCathodeHighEfficiencyRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
GTL2012DP-T
功能描述：
转换 - 电压电平 2-BIT BI-DIREC NON-LATCH TRAN
RoHS：
否
制造商：
Micrel
类型：
CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL
传播延迟时间：
1.9 ns
电源电流：
14 mA
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
3 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
MLF-8

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