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GT5J301

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS ● Third-generation IGBT ● Enhancement mode type ● High speed : tf = 0.30μs (Max.) (IC = 5A) ● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) ● FRD included between emitter and collector

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东芝

GT5J301

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

GT5J301

GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

文件:482.25 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

GT5J301

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS

Toshiba

东芝

GT5J301_07

GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

文件:482.25 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

详细参数

  • 型号:

    GT5J301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

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更多GT5J301供应商 更新时间2025-11-18 16:19:00